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NTTFS4821N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流高达100A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4mR，有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流控制。
- 商品型号
- NTTFS4821N-HXY
- 商品编号
- C22367306
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品概述
IRF7316PBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关