温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVTFS015N04C-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率需求。电压为40V，能在特定电路中稳定工作。内阻典型值6.9mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。
- 商品型号
- NVTFS015N04C-HXY
- 商品编号
- C22367312
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
BSS215PH6327XTSA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET