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IRLML6302PBF-HXY
N沟道 20V 2.3A
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- 描述
- 这款IRLML6302PbF MOS管采用先进的P沟道技术，封装为小巧耐用的SOT-23形式。其拥有卓越的电气性能，工作电压高达20V，连续电流可达2.3A，低至95mΩ的导通电阻确保了高效的能源转换与传输。适用于各类电源管理、电机驱动等应用场景，是您设计电路的理想选择，兼具高性能与可靠性。
- 商品型号
- IRLML6302PBF-HXY
- 商品编号
- C22367314
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
IRLML6302PBF采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -2.3A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 140mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关