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AOSS32136C-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- AOSS32136C N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高集成度电路设计。该器件额定电压为20V（VDSS），能承载高达6.5A的连续漏极电流（ID），体现强大的电流处理性能。其卓越的14mR导通电阻（RD(on)）确保在大电流运行时依然保持低功耗和高效率。适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高电流处理能力且注重能效的电子系统中。
- 商品型号
- AOSS32136C-HXY
- 商品编号
- C22367304
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NVTFS4C10N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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