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CSD17304Q3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- CSD17304Q3 型号MOS管采用前沿DFN3X3-8L封装工艺，体积小巧且散热出色。这款N沟道MOSFET具有30V的峰值电压耐受力，能安全稳定地承载高达80A的漏极电流，展现出卓越的电力传输性能。其导通电阻仅为4.7mΩ，显著增强了电路能效，减小了能量损耗。广泛适用于大电流开关电源、快速充电模块、电机驱动系统等高强度应用场景，是您构建高效、低耗能系统的理想半导体组件。
- 商品型号
- CSD17304Q3-HXY
- 商品编号
- C22367305
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品概述
NTMD3P03采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 5.3A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关