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SUD45P03-09-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- SUD45P03-09-GE3 是一款P沟道MOS管，采用高效散热的TO-252-2L封装，适用于大电流应用环境。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理70A的连续电流，体现出卓越的电力传输能力。其引人注目的特点是仅8mR的导通电阻(RD(on))，有效提升系统能效，减少功率损耗，是电源开关、电机驱动和高功率电子设备的理想组件选择。
- 商品型号
- SUD45P03-09-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367302
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
SUD45P03-09-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -70 A
- 当栅源电压（VGS） = -10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 11 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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