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AO3420-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- AO3420 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，特别适合空间有限的电路设计。该器件具有20V的最大工作电压（VDSS），可支持高达6.5A的连续漏极电流（ID），展现卓越的电流处理能力。其导通电阻仅14mR（RD(on)），在确保高电流应用场合下的高效能同时，最大限度地减少了功率损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等高电流、低阻抗需求的电子设备中。
- 商品型号
- AO3420-HXY
- 商品编号
- C22367303
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
NTMFS4C025N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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