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NTMD3P03-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- 此场效应管为P+P型，电流5.3A，可满足特定小功率场景需求。电压30V，能在相应电路中稳定工作。内阻典型值35mR，能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于一些小型电子设备中。
- 商品型号
- NTMD3P03-HXY
- 商品编号
- C22367301
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NVTFS5826NL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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