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SM4953PRL-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- SM4953PRL 型MOS管选用高品质2个P沟道沟道工艺，采用精巧SOP-8封装形式，为现代电子设备提供卓越的空间利用率。本器件电压耐受力出众，额定VDSS值为30V，能够承受5.3A的连续漏极电流，而其优异的导通电阻仅为35mR，确保了在运行过程中的低功耗与高效率表现。此款MOS管广泛运用于电源控制、电机驱动等场景，是提升系统整体效能的理想半导体组件。
- 商品型号
- SM4953PRL-HXY
- 商品编号
- C22367300
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NTTFS4C10N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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