温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17577Q3A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD17577Q3A 是一款N沟道MOSFET，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件在30V电压VDSS下稳定工作，能处理高达100A的连续电流，彰显强大电力传输性能。其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升整体系统效率。CSD17577Q3A 广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合，是您构建高效节能电路的理想选择。
- 商品型号
- CSD17577Q3A-HXY
- 商品编号
- C22367294
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NVTFS4C06N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐
- NTTFS4939N-HXY
- IRF7316PBF-HXY
- IRF7316TRPBF-HXY
- DMP3085LSD-HXY
- SM4803APRL-HXY
- SM4953PRL-HXY
- NTMD3P03-HXY
- SUD45P03-09-GE3-HXY
- AO3420-HXY
- AOSS32136C-HXY
- CSD17304Q3-HXY
- NTTFS4821N-HXY
- NTTFS4C10N-HXY
- NTTFS4928N-HXY
- NVTFS4C10N-HXY
- NTTFS5C478NL-HXY
- NVTFS5C478NL-HXY
- NVTFS015N04C-HXY
- NVTFWS015N04C-HXY
- IRLML6302PBF-HXY
- Si2301DS-HXY