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IRF7316TRPBF-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- IRF7316TRPBF 型MOS管，采用高性能2个P沟道沟道技术，封装在节省空间的SOP-8形式，特别适合现代紧凑型电路设计需求。其关键参数包括工作电压VDSS高达30V，持续电流ID容量达5.3A，而导通电阻仅35mR，展现出卓越的电能转换效率与低功耗特性。这款MOS管是电源管理、开关调节等应用的理想之选，助力您的电子产品实现更高性能与更优能耗表现。
- 商品型号
- IRF7316TRPBF-HXY
- 商品编号
- C22367297
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NVTFS5C680NL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 20A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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