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DMP3085LSD-HXY
2个P沟道 耐压:33V 电流:5.3A
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- 描述
- 这款场效应管为P+P型，电流为5.3A，可满足较低功率需求。电压30V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值35mR，能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- DMP3085LSD-HXY
- 商品编号
- C22367298
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 33V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
SM4953PRL采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 5.3A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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