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IRF7316PBF-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- IRF7316PbF MOS管，精选2个P沟道沟道设计，采用SOP-8封装形式，结构紧凑，便于集成。这款器件在30V的额定电压下表现出色，最大连续漏极电流可达5.3A，且拥有低至35mR的导通电阻，有效降低功率损耗，提升能源效率。适用于多种中低压开关电路及电源管理应用场合，以稳定的性能和高效的转换能力，为您的电子系统提供强大支持。
- 商品型号
- IRF7316PBF-HXY
- 商品编号
- C22367296
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRF7316PBF采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
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