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NTTFS4C06N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为100A，可承载较大功率。电压30V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值4mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型及以上电子设备中。
- 商品型号
- NTTFS4C06N-HXY
- 商品编号
- C22367290
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
CSD17579Q3A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 35A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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