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CSD16340Q3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- CSD16340Q3 型号N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，将小型化与高效散热相结合，专为高密度电子设备设计。该器件具备30V的额定电压VDSS，能稳定承载100A的连续电流ID，展现出强大的功率处理能力。其导通电阻仅为4mR，极大地提高了系统能效，降低了功耗。
- 商品型号
- CSD16340Q3-HXY
- 商品编号
- C22367291
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTTFS4937N采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 60A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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