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CSD16340Q3-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CSD16340Q3-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
CSD16340Q3 型号N沟道MOS管,采用先进的DFN3X3-8L封装技术,将小型化与高效散热相结合,专为高密度电子设备设计。该器件具备30V的额定电压VDSS,能稳定承载100A的连续电流ID,展现出强大的功率处理能力。其导通电阻仅为4mR,极大地提高了系统能效,降低了功耗。
商品型号
CSD16340Q3-HXY
商品编号
C22367291
商品封装
DFN3X3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.058333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)31.6nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.075nF
反向传输电容(Crss)315pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)400pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF