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NVTFS5826NL-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVTFS5826NL-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
这款场效应管为N型,电流为30A,可在一定功率范围内工作。电压达60V,能确保电路稳定运行。内阻典型值24mR,能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
商品型号
NVTFS5826NL-HXY
商品编号
C22367286
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0595克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NVTFS5826NL采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 20A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF