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NVTFS5826NL-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为30A，可在一定功率范围内工作。电压达60V，能确保电路稳定运行。内阻典型值24mR，能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- NVTFS5826NL-HXY
- 商品编号
- C22367286
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SM4803APRL采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -5.3A
- 当栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 42mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
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