SI7414DN-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款MOS管型号为SI7414DN-T1-E3 ,采用先进的N沟道技术,封装形式为小型化DFN3X3-8L,特别适用于高密度PCB布局。其关键性能指标优越,拥有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID,确保在高压大电流环境下稳定运行。尤其值得关注的是,其低至24mΩ的导通电阻RD(on),显著提升了功率效率,降低了损耗,广泛适用于电源管理、负载开关以及马达控制等领域,是高端电子设备的理想组件选择。
- 商品型号
- SI7414DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367283
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
- SQ7414AEN-T1_GE3-HXY
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