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SI7414DN-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款MOS管型号为SI7414DN-T1-E3 ，采用先进的N沟道技术，封装形式为小型化DFN3X3-8L，特别适用于高密度PCB布局。其关键性能指标优越，拥有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID，确保在高压大电流环境下稳定运行。尤其值得关注的是，其低至24mΩ的导通电阻RD(on)，显著提升了功率效率，降低了损耗，广泛适用于电源管理、负载开关以及马达控制等领域，是高端电子设备的理想组件选择。
- 商品型号
- SI7414DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367283
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD16411Q3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 35 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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