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SI7414DN-T1-E3-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7414DN-T1-E3-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
这款MOS管型号为SI7414DN-T1-E3 ,采用先进的N沟道技术,封装形式为小型化DFN3X3-8L,特别适用于高密度PCB布局。其关键性能指标优越,拥有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID,确保在高压大电流环境下稳定运行。尤其值得关注的是,其低至24mΩ的导通电阻RD(on),显著提升了功率效率,降低了损耗,广泛适用于电源管理、负载开关以及马达控制等领域,是高端电子设备的理想组件选择。
商品型号
SI7414DN-T1-E3-HXY
商品编号
C22367283
商品封装
DFN3X3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0595克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.06nF
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)64pF

数据手册PDF