SI7414DN-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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描述
这款MOS管型号为SI7414DN-T1-E3 ,采用先进的N沟道技术,封装形式为小型化DFN3X3-8L,特别适用于高密度PCB布局。其关键性能指标优越,拥有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID,确保在高压大电流环境下稳定运行。尤其值得关注的是,其低至24mΩ的导通电阻RD(on),显著提升了功率效率,降低了损耗,广泛适用于电源管理、负载开关以及马达控制等领域,是高端电子设备的理想组件选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SI7414DN-T1-E3-HXY商品编号
C22367283商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.0595克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 30A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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