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SQ7414AEN-T1_GE3-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQ7414AEN-T1_GE3-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
型号为SQ7414AEN-T1_GE3 的MOS管,是一款高性能N沟道半导体器件,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,专为现代精密电子设备的小型化需求而设计。该器件具有出色的电气特性,包括60V的最大额定电压VDSS及高达30A的连续电流ID,能在严苛条件下保持稳定性能。更值得一提的是,其卓越的导通电阻RD(on)仅为24mΩ,有助于大幅度减少功率损耗,提高系统效能,广泛应用于电源转换、负载开关控制、马达驱动等各种场景中,是您实现高效能解决方案的理想之选。
商品型号
SQ7414AEN-T1_GE3-HXY
商品编号
C22367284
商品封装
DFN3X3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0595克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.06nF
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)64pF

数据手册PDF