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SQ7414AEN-T1_GE3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 型号为SQ7414AEN-T1_GE3 的MOS管，是一款高性能N沟道半导体器件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代精密电子设备的小型化需求而设计。该器件具有出色的电气特性，包括60V的最大额定电压VDSS及高达30A的连续电流ID，能在严苛条件下保持稳定性能。更值得一提的是，其卓越的导通电阻RD(on)仅为24mΩ，有助于大幅度减少功率损耗，提高系统效能，广泛应用于电源转换、负载开关控制、马达驱动等各种场景中，是您实现高效能解决方案的理想之选。
- 商品型号
- SQ7414AEN-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C22367284
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
商品概述
SQ7414AEN-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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