SQ7414AEN-T1_GE3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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描述
型号为SQ7414AEN-T1_GE3 的MOS管,是一款高性能N沟道半导体器件,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,专为现代精密电子设备的小型化需求而设计。该器件具有出色的电气特性,包括60V的最大额定电压VDSS及高达30A的连续电流ID,能在严苛条件下保持稳定性能。更值得一提的是,其卓越的导通电阻RD(on)仅为24mΩ,有助于大幅度减少功率损耗,提高系统效能,广泛应用于电源转换、负载开关控制、马达驱动等各种场景中,是您实现高效能解决方案的理想之选。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SQ7414AEN-T1_GE3-HXY商品编号
C22367284商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.0595克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 30A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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