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CSD17308Q3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- CSD17308Q3 N沟道MOSFET采用精巧DFN3X3-8L封装，实现卓越散热性能与紧凑设计。该器件性能强大额定漏源电压(VDSS)高达30V，可承载60A连续大电流，而6mΩ的低导通电阻(RD(on))确保了高效率、低损耗的功率转换。广泛应用于电源转换、电机驱动等高电流场景，是提升系统效能和节能方案的理想半导体元器件。
- 商品型号
- CSD17308Q3-HXY
- 商品编号
- C22367276
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
NTR4502P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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