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CSD16411Q3-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:60A

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描述: CSD16411Q3 N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装工艺，小巧轻便，适用于高密度电路设计。具备30V的耐压等级（VDSS）和高达60A的连续漏极电流（ID），确保卓越的电力处理能力。其导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系统能效。此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CSD16411Q3-HXY
商品编号: C22367277
商品封装: DFN3X3-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.057333克(g)

商品参数

AON7400A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。