CSD17579Q3A-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:60A

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描述: CSD17579Q3A N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高效空间利用而设计。该器件拥有30V的最大额定电压（VDSS），并可承载强大的60A连续漏极电流，性能卓越。尤其突出的是其超低的导通电阻6mΩ（RD(on)），显著减少功率损耗，提高整体工作效率。这款MOS管适用于各类高性能开关电源、马达驱动及大电流控制场景，是工程师的理想之选。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CSD17579Q3A-HXY
商品编号: C22367278
商品封装: DFN3x3-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.062917克(g)

商品参数