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NVTFS4C13N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流60A，能承载较大功率。电压30V，确保在特定电路稳定工作。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。
- 商品型号
- NVTFS4C13N-HXY
- 商品编号
- C22367281
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ZXMP3A13F采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -4.1A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理
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