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NVTFS4C25N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率需求。电压为30V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，适用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备。
- 商品型号
- NVTFS4C25N-HXY
- 商品编号
- C22367282
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
NVTFS4C25N采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30 V，漏极电流 = 35 A
- 栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻 < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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