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SM32314D1RL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- SM32314D1RL N沟道MOSFET，采用先进DFN3X3-8L封装技术，结构紧凑，节省电路板空间。该器件具有30V的最高耐压（VDSS），并提供高达60A的持续漏极电流（ID），性能强大稳定。尤为值得一提的是其出色的导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效减少了能耗，提升了系统的功率转换效率。这款MOS管非常适合应用于高功率密度的开关电源、电机驱动控制以及高电流管理方案中。
- 商品型号
- SM32314D1RL-HXY
- 商品编号
- C22367279
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NVTFS4C13N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 35 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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