SM32314D1RL-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:60A

描述

SM32314D1RL N沟道MOSFET，采用先进DFN3X3-8L封装技术，结构紧凑，节省电路板空间。该器件具有30V的最高耐压（VDSS），并提供高达60A的持续漏极电流（ID），性能强大稳定。尤为值得一提的是其出色的导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效减少了能耗，提升了系统的功率转换效率。这款MOS管非常适合应用于高功率密度的开关电源、电机驱动控制以及高电流管理方案中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SM32314D1RL-HXY

商品编号

C22367279

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.057667克(g)