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SQ2303ES-T1_GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- SQ2303ES-T1_GE3 MOS管是一款高性能P沟道半导体器件，采用精巧的SOT-23封装工艺，适用于对空间要求严苛的应用环境。器件特性优越，额定电压高达30V，连续电流承载能力达到4.1A，尤为突出的是仅48mΩ的导通电阻，有效保证了系统的高效能与低功耗。广泛应用在电源转换、负载切换、电池管理及各类智能电子设备中，助力工程师实现高集成度与卓越性能的设计方案。
- 商品型号
- SQ2303ES-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C22367270
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
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