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CSD17578Q3A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- CSD17578Q3A N沟道MOSFET采用先进的DFN3X3-8L封装技术，实现小型化与高效散热的完美结合。该器件性能卓越，具有30V的最大漏源电压(VDSS)，支持高达60A的连续工作电流，其导通电阻(RD(on))低至6mΩ，确保了出色的能效比和低功耗表现。广泛应用在电源转换、电池管理系统、电机驱动等领域，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。
- 商品型号
- CSD17578Q3A-HXY
- 商品编号
- C22367275
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD17578Q3A采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 35 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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