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NDS356AP-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- NDS356AP MOS管是一款高性能P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，专为高密度电路设计。器件在30V的额定电压下运行稳定，可承载最大4.1A的连续电流，凭借其卓越的48mΩ导通电阻，有效降低了系统能耗，提升了整体效率。广泛适用于电源控制、负载开关以及电池管理系统等多种场合，是打造高效能、低功耗电子产品的理想之选。
- 商品型号
- NDS356AP-HXY
- 商品编号
- C22367267
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
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