Si2303CDS-T1-GE3-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A

描述

Si2303CDS-T1-GE3 是一款高效P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，便于在紧凑型电路设计中灵活使用。器件亮点在于拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载4.1A漏极电流(ID)，同时具备48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低损耗状态下实现高效能运作。此款MOS管广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等各种场景，是您提升系统性能和节能效果的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

Si2303CDS-T1-GE3-HXY

商品编号

C22367269

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.035克(g)