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DMG2307L-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流为4.1A，适用于一定功率需求的场景。电压30V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值48mR，能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- DMG2307L-HXY
- 商品编号
- C22367259
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
FDN360P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- RDS(ON) < 56mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
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