温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si2307CDS-T1-GE3-HXY
P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- Si2307CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电子设计。该器件工作电压VDSS高达30V，可承载4.1A连续电流，且拥有低至48mR的导通电阻，有效提高系统能效，降低能耗。适用于电源开关控制、电池保护和各类中等电流负载驱动应用，是工程师设计高集成度、低功耗方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- Si2307CDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367262
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |