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Si2307BDS-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- Si2307BDS-T1-GE3 MOS管是一款采用SOT-23封装的高性能P沟道MOSFET，专为紧凑型电子设计打造。该器件具有30V的高额定电压VDSS和高达4.1A的连续电流ID，能够在中高功率应用中展现稳定性能。其导通电阻低至48mR，有效提高能源利用效率。广泛应用于电源管理、电池保护电路以及各类负载驱动场合，是实现高能效系统控制的理想半导体元件。
- 商品型号
- Si2307BDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367258
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
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