温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si2307CDS-T1-E3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Si2307CDS-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适应各类空间紧凑的电子设计需求。该器件具有30V的高工作电压VDSS，支持4.1A的连续电流ID，同时具备出色的48mR导通电阻，有效提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源管理、电池保护电路以及各类负载驱动场合，是您优化电路设计的理想选择。
- 商品型号
- Si2307CDS-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367261
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
Si2343DS-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
相似推荐
其他推荐
- Si2307CDS-T1-GE3-HXY
- DMP3160L-HXY
- FDN358P-HXY
- IRLML5103PBF-HXY
- NDS352AP-HXY
- NDS356AP-HXY
- NTR4502P-HXY
- Si2303CDS-T1-GE3-HXY
- SQ2303ES-T1_GE3-HXY
- ST2303SRG-HXY
- ZXM61P03F-HXY
- ZXMP3A13F-HXY
- AON7400A-HXY
- CSD17578Q3A-HXY
- CSD17308Q3-HXY
- CSD16411Q3-HXY
- CSD17579Q3A-HXY
- SM32314D1RL-HXY
- NTTFS4C25N-HXY
- NVTFS4C13N-HXY
- NVTFS4C25N-HXY