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Si2307BDS-T1-E3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- Si2307BDS-T1-E3 MOS管是一款P沟道MOSFET器件，采用紧凑耐用的SOT-23封装，适用于各种小型化设计。它拥有30V的高工作电压VDSS和4.1A的大电流处理能力，确保在中高功率应用中的稳定性。此外，48mR的导通电阻实现了高效能量转换和低功耗运行。该产品广泛应用于电源开关、电池保护电路和负载驱动系统，是工程师设计高效节能电路的理想选择。
- 商品型号
- Si2307BDS-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367257
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
SM3407SRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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