Si2343DS-T1-E3-HXY

耐压:30V 电流:4.1A

描述

Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能和低功耗电路设计。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，能承载最大4.1A的连续漏极电流(ID)，且具备48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了卓越的能效和可靠性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是构建紧凑、节能型电子设备的理想半导体元件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

Si2343DS-T1-E3-HXY

商品编号

C22367252

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.036667克(g)