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Si2343DS-T1-E3-HXY
耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能和低功耗电路设计。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，能承载最大4.1A的连续漏极电流(ID)，且具备48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了卓越的能效和可靠性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是构建紧凑、节能型电子设备的理想半导体元件。
- 商品型号
- Si2343DS-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367252
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
Si2300DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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