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FDN360P-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- FDN360P MOS管是一款采用经典SOT-23封装的高质量P沟道半导体元件，工作电压VDSS高达30V，确保在多种电源管理场景下稳定运行。器件提供4.1A的强大电流承载能力，且拥有48mR的低导通电阻，有效提升系统能效并降低功耗。适用于电池保护、电源开关控制及中等电流负载驱动等应用领域，是电路设计者实现高效可靠控制的理想之选。
- 商品型号
- FDN360P-HXY
- 商品编号
- C22367255
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
Si2343DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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