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KMB3D0P30SA-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 此场效应管为P型。电流为4.1A，可适应一定的电流负载。电压达30V，适用于多种常见电压环境。内阻典型值48mR。VGS为20V。适用于各类电子产品，在电源控制和信号处理等方面发挥特定作用，保障电路稳定运行。
- 商品型号
- KMB3D0P30SA-HXY
- 商品编号
- C22367256
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
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