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Si2343DS-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- Si2343DS-T1-GE3 是一款高品质P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高集成度和节能电子应用设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够稳定承载4.1A的漏极电流(ID)，并具有48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了出色的电能转换效率和低功耗表现。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等场景，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。
- 商品型号
- Si2343DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367253
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
Si2302ADS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 2.3 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 60 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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