Si2343DS-T1-GE3-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A

描述

Si2343DS-T1-GE3 是一款高品质P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高集成度和节能电子应用设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够稳定承载4.1A的漏极电流(ID)，并具有48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了出色的电能转换效率和低功耗表现。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等场景，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

Si2343DS-T1-GE3-HXY

商品编号

C22367253

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.035833克(g)