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Si2302CDS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- Si2302CDS-T1-GE3 型号MOS管采用微型SOT-23封装，内置先进N沟道技术，专为优化电路效率而生。该器件工作在20V的漏源电压(VDSS)下，可承载最大2.3A的连续漏极电流(ID)，适合于中小功率应用场合。尤为突出的是其48mR的低导通电阻(RD(on))，有效减少功率损耗，提升系统效能。广泛应用于电源转换、负载开关控制及低压电子设备的开关电路中，是您提升产品性能与节能效果的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- Si2302CDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367241
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
RTR025P02FRA采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -4.1A
- 在栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 45 mΩ
- 静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）1500V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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