Si2302CDS-T1-GE3-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A

描述

Si2302CDS-T1-GE3 型号MOS管采用微型SOT-23封装，内置先进N沟道技术，专为优化电路效率而生。该器件工作在20V的漏源电压(VDSS)下，可承载最大2.3A的连续漏极电流(ID)，适合于中小功率应用场合。尤为突出的是其48mR的低导通电阻(RD(on))，有效减少功率损耗，提升系统效能。广泛应用于电源转换、负载开关控制及低压电子设备的开关电路中，是您提升产品性能与节能效果的理想半导体元件选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

Si2302CDS-T1-GE3-HXY

商品编号

C22367241

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.032143克(g)