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XP151A13A0MR-HXY

1个N沟道耐压:20V 电流:2.3A

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描述: 这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术，封装形式为SOT-23，小巧而高效。其核心参数出色，具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID，确保了卓越的电力处理能力。尤为突出的是，该器件拥有超低的导通电阻RD(on)，仅为48mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效，是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: XP151A13A0MR-HXY
商品编号: C22367246
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.032143克(g)

商品参数

XP151A13A0MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。