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XP151A13A0MR-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XP151A13A0MR-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A

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描述
这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术,封装形式为SOT-23,小巧而高效。其核心参数出色,具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID,确保了卓越的电力处理能力。尤为突出的是,该器件拥有超低的导通电阻RD(on),仅为48mΩ,可显著降低功耗,提升系统能效,是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。
商品型号
XP151A13A0MR-HXY
商品编号
C22367246
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.032143克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th))750mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)48pF

数据手册PDF