温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si2302DDS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- Si2302DDS-T1-GE3 型号MOS管采用紧凑型SOT-23封装，内含尖端N沟道技术，专为优化电路性能设计。器件支持20V的漏源电压(VDSS)，可稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID)，适用各类中小功率应用。其导通电阻仅为48mR(RD(on))，确保了低功耗和高效率运作。广泛应用于电源管理、负载开关及低压电子设备的开关控制，是提升产品能效比和可靠性的重要半导体组件。
- 商品型号
- Si2302DDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367242
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
- ZXMN2F34FH-HXY
- DMG2302U-HXY
- MGSF1N02LT1-HXY
- XP151A13A0MR-HXY
- ZXMN2B01F-HXY
- DMN2230U-HXY
- MGSF2N02EL-HXY
- ZXMN2A01F-HXY
- DMG3406L-HXY
- Si2343DS-T1-E3-HXY
- Si2343DS-T1-GE3-HXY
- SM3407SRL-HXY
- FDN360P-HXY
- KMB3D0P30SA-HXY
- Si2307BDS-T1-E3-HXY
- Si2307BDS-T1-GE3-HXY
- DMG2307L-HXY
- DMP3125L-HXY
- Si2307CDS-T1-E3-HXY
- Si2307CDS-T1-GE3-HXY
- DMP3160L-HXY
- ZXMN2F34FH-HXY
- DMG2302U-HXY
- MGSF1N02LT1-HXY
- XP151A13A0MR-HXY
- ZXMN2B01F-HXY
- DMN2230U-HXY
- MGSF2N02EL-HXY
- ZXMN2A01F-HXY
- DMG3406L-HXY
- Si2343DS-T1-E3-HXY
- Si2343DS-T1-GE3-HXY
- SM3407SRL-HXY
- FDN360P-HXY
- KMB3D0P30SA-HXY
- Si2307BDS-T1-E3-HXY
- Si2307BDS-T1-GE3-HXY
- DMG2307L-HXY
- DMP3125L-HXY
- Si2307CDS-T1-E3-HXY
- Si2307CDS-T1-GE3-HXY
- DMP3160L-HXY