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Si2302DDS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- Si2302DDS-T1-GE3 型号MOS管采用紧凑型SOT-23封装，内含尖端N沟道技术，专为优化电路性能设计。器件支持20V的漏源电压(VDSS)，可稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID)，适用各类中小功率应用。其导通电阻仅为48mR(RD(on))，确保了低功耗和高效率运作。广泛应用于电源管理、负载开关及低压电子设备的开关控制，是提升产品能效比和可靠性的重要半导体组件。
- 商品型号
- Si2302DDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367242
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ZXMN2F34FH采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V
- ID = 2.3 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 60 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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