Si2300DS-T1-GE3-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:9A

描述

Si2300DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为紧凑型电路设计。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，体现卓越的电流承载力。其导通电阻(RD(on))仅有22mΩ，有效减少功率损耗，提高能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是您追求高集成度与低功耗半导体解决方案的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

Si2300DS-T1-GE3-HXY

商品编号

C22367238

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.025667克(g)