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Si2300DS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- Si2300DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为紧凑型电路设计。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，体现卓越的电流承载力。其导通电阻(RD(on))仅有22mΩ，有效减少功率损耗，提高能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是您追求高集成度与低功耗半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- Si2300DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367238
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
DMG2302U采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V
- ID = 2.3 A
- RDS(ON) < 60 mΩ @ VGS = 4.5 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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