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Si2302ADS-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

Si2302ADS-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A

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描述
Si2302ADS 型号MOS管采用了紧凑型SOT-23封装,搭载高效N沟道技术,适于各类精密电子设计。此器件具备20V的漏源击穿电压(VDSS),可稳定承载高达2.3A的连续漏极电流(ID),在中小功率应用中表现出色。其48mR的低导通电阻(RD(on))意味着更低的能量损耗和更高的电路效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制和其他低压开关电路,是提升系统性能与节能效果的理想选择。
商品型号
Si2302ADS-HXY
商品编号
C22367240
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031429克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th))750mV
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)48pF
栅极电压(Vgs)±12V

数据手册PDF