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Si2302ADS-HXY

1个N沟道耐压:20V 电流:2.3A

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描述: Si2302ADS 型号MOS管采用了紧凑型SOT-23封装，搭载高效N沟道技术，适于各类精密电子设计。此器件具备20V的漏源击穿电压(VDSS)，可稳定承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，在中小功率应用中表现出色。其48mR的低导通电阻(RD(on))意味着更低的能量损耗和更高的电路效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制和其他低压开关电路，是提升系统性能与节能效果的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: Si2302ADS-HXY
商品编号: C22367240
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.031429克(g)

商品参数

ZXMN2A01F采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。