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Si2302CDS-T1-E3-HXY
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- Si2302CDS-T1-E3 型号MOS管，采用小巧SOT-23封装，内含高性能N沟道技术，专为高效率电路设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，能够承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，适用于多种中小功率应用场合。其导通电阻仅为48mR(RD(on))，确保了较低的功率损耗和较高的系统效能。广泛应用于电源管理、负载开关及低压开关电路中，是您提升电子设备性能的理想半导体组件。
- 商品型号
- Si2302CDS-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367239
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
AO3481采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 54mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 77mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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