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DMP3130L-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流4.2A，可在一定功率范围内发挥作用。电压30V，能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值45mR，能量损耗相对较高。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- DMP3130L-HXY
- 商品编号
- C22367234
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
AO3423采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -4.1A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 45 mΩ
- 静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）1500V
- SOT-23-3L封装
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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