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AO3401A-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- AO3401A 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，适合空间有限的电路设计。器件参数强大，最大漏源电压VDSS为30V，可承载高达4.2A的连续漏极电流ID，且具有45mR的导通电阻RD(on)，在开关应用中表现优秀，低导通电阻确保了高效能与低功耗。广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护和各类电子设备的低电压、中等电流开关控制中。
- 商品型号
- AO3401A-HXY
- 商品编号
- C22367235
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
DMP3068L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -4.2A
- 栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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