温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3481-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此场效应管为P型，电流4.2A，可满足一定小功率需求。电压30V，能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值45mR，能量损耗相对较高。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中进行电流控制。
- 商品型号
- AO3481-HXY
- 商品编号
- C22367236
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
DMP3130L采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- ST3401M23RG-HXY
- Si2300DS-T1-GE3-HXY
- Si2302CDS-T1-E3-HXY
- Si2302ADS-HXY
- Si2302CDS-T1-GE3-HXY
- Si2302DDS-T1-GE3-HXY
- ZXMN2F34FH-HXY
- DMG2302U-HXY
- MGSF1N02LT1-HXY
- XP151A13A0MR-HXY
- ZXMN2B01F-HXY
- DMN2230U-HXY
- MGSF2N02EL-HXY
- ZXMN2A01F-HXY
- DMG3406L-HXY
- Si2343DS-T1-E3-HXY
- Si2343DS-T1-GE3-HXY
- SM3407SRL-HXY
- FDN360P-HXY
- KMB3D0P30SA-HXY
- Si2307BDS-T1-E3-HXY