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MMBF2201NT1-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为2A，适用于小功率电子设备。电压20V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值49mR，能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电器中进行电流控制。
- 商品型号
- MMBF2201NT1-HXY
- 商品编号
- C22367231
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDN306P采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.1A
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 45 mΩ
- 静电放电等级：1500V HBM
- SOT-23-3L封装
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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