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NTTFS4929N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为50A，可应对较大功率场景。电压30V，能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值7.5mR，能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备中。
- 商品型号
- NTTFS4929N-HXY
- 商品编号
- C22367230
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055276克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO3419采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.1A
- RDS(ON) < 45 mΩ（@ VGS = -4.5V）
- ESD额定值：1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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