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RTR025P02FRA-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流4.1A，在小功率场景中有较好表现。电压20V，能适应特定电路环境。内阻典型值34mR，能量损耗较为适中。VGS为10V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定需求的小型电器中进行电流调控。
- 商品型号
- RTR025P02FRA-HXY
- 商品编号
- C22367224
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
MMBF2201NT1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源-N沟道MOSFET
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