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DMN2046U-HXY
耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为6A，适用于中小功率场景。电压20V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值14mR，能量损耗相对较小。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中进行电流控制。
- 商品型号
- DMN2046U-HXY
- 商品编号
- C22367216
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF |
商品概述
SM3416SRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V ID = 6A
- RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 4.5V
- RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 2.5V
- ESD = 2000V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT-23
- N沟道MOSFET